集微网消息，近日国家知识产权局公开了合肥晶合集成电路股份有限公司申请的一项名“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法“发明专利，公开号CN117747535A，申请日期为2024年2月。

　　根据专利摘要，本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法，利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备，在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后，注入一定浓度的B离子到AA corner，之后移除垫氮化层，在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区，根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备，形成NMOS或者PMOS。

　　由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子，使得后续在该有源区制备阱区时，能够避免有源区AA与STI搭界处的B离子析出至STI中，导致NMOS的阈值电压Vt无法满足设计要求的问题。本发明改造成本低廉，修正阈值电压效果好，具体较大的实用价值。