当地时间12月21日，荷兰光刻机大厂ASML通过社交媒体X平台宣布，其首套High-NA EUV光刻机正从荷兰Veldhoven总部开始装车发货，将向英特尔进行交付。

　　ASML在声明中称：“我们很高兴、也很自豪，能够向英特尔交付我们的第一个高数值孔径 EUV 系统。”

　　自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm、5nm、3nm工艺，台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺的量产都是依赖于0.33 数值孔径（NA）的EUV光刻机来进行生产，该类型光刻机的分辨率可以达到8nm。

　　目前，随着三星、台积电、英特尔3nm制程的相继量产，目前这三大先进制程制造厂商都在积极投资2nm制程及更先进的埃米级制程的研发，以满足未来高性能计算等先进芯片需求，并在晶圆代工市场的竞争当中取得优势。而2nm及以下的尖端工艺的实现则可能需要依赖于ASML新一代的0.55数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。

　　相对于0.33 NA的EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High-NA EUV光刻机的分辨率可以达到更高的8nm分辨率，同时设备的体积也更大，各类组件装在250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比卡车还要大，成本也更是高达3亿至4亿美元。

　　英特尔于 2022 年率先向ASML订购了第一台High-NA EUV光刻机，其他已订购High-NA EUV光刻机的芯片制造商还包括台积电、三星、SK 海力士和美光。

　　根据规划，英特尔将在2024年上半年量产Intel 20A制程，下半年将量产更先进的Intel 18A制程。台积电、三星都将在2025年量产2nm制程。

　　英特尔此前曾表示，首套High-NA EUV曝光机将用于学习如何生产Intel 18A先进制程，有望使英特尔领先对手台积电和三星。因High-NA EUV曝光机与标准EUV光刻机差异不小，需大量修正基础设施，提升使用经验，故领先对手几季部署对英特尔是很大优势。

　　编辑：芯智讯